VIII
конференция |
[Раздел I] [Раздел
II] [Раздел III]
[Раздел IV]
Раздел III. Технология и оборудование
для производства материалов и приборов электронной техники
Е.А.Осипова, В.Л.Ануров, А.И.Каменев.
Изучение процесса электрорастворения тонких пленок цинка с поверхности
углеродных электродов в водных растворах полимеров.
Методом анодной инверсионной вольтамперометрии изучен
процесс электрорастворения Zn с поверхности электродов из углеродных
материалов в растворах комплексообразующих полимерных реагентов. Рассмотрено
влияние строения полимерного звена и молекулярной массы полимера на
величины сигналов Zn(II), оценена относительная устойчивость полимерных
комплексов Zn(II).
Ф.В.Курдесов, В.Б.Залесский, В.И.Ковалевский,
П.И.Романов. Солнечные элементы на основе CuInSe2 тонких пленок,
полученных невакуумной селенизацией Cu-In слоёв.
Представлены данные по применению CuInSe2 тонких плёнок,
полученных невакуумной селенизацией Cu-In металлических слоёв в парах
Se для производства тонкоплёночных солнечных элементов со структурой
Mo/CuInSe2/CdS/ZnO. Максимальные КПД преобразования солнечного света
составили 0,33±0,01 % на площади 1 см2 и 1,60±0,36 % на площади 1,4
мм2 в случае Cu/In=0,70; 2,00±0,05 % на 1 см2 и 6,39±0,78 % на 5 мм2
в случае Cu/In=0,82.
Э.Б.Вторыгин, О.Ф.Луцкая, А.И.Максимов, В.А.Мошников,
Л.Ф.Чепик, Е.П.Трошина. Получение наноструктурированных композитов
на основе оксидов олова, кремния, и индия золь-гель методом.
Исследованы условия получения композитов в системах
следующих составов: 50In2O3-50SiO2 (масс.%); 50In2O3-50SnO (масс.%);
20In2O3-50SnO2-30SiO2 (масс.%). Приведены и обсуждены результаты РФА
и ДТА образцов в зависимости от условий синтеза и последующей термообработки.
Показано, что образцы представляют собой нанокристаллиты In2O3 и SnO2,
заключенные в рентгеноаморфной матрице диоксида кремния.
С.В.Денбновецкий, В.И.Мельник, И.В.Мельник, Б.А.Тугай.
Разработка и применение газоразрядных электронно-лучевых испарителей
с холодным катодом.
В статье рассматриваются вопросы проектирования электронно-лучевых
испарителей, в которых для формирования электронного пучка используются
источники электронов на основе высоковольтного тлеющего разряда с
анодной плазмой. Приводятся варианты конструкций реальных испарительных
устройств, внедренных в промышленность, и технические характеристики
испарителей.
В.К.Егоров, Е.В.Егоров. Составной волновод-резонатор
рентгеновского излучения, как основа для создания новых приборов тестирования
поверхности.
Представлена модель составного волновода-резонатора
рентгеновского излучения. Модель предполагает существование возможности
управления полем стоячей рентгеновской волны. Приведено экспериментальное
доказательство реализуемости такой возможности.
И.А.Милованов, А.В.Долматов, С.У.Увайсов.
Критерии выбора контактных измерителей температуры для элементов печатных
узлов.
В этой статье рассматривается проблема выбора и обоснования
технически-значащих параметров (критериев) для применения контактных
датчиков температуры в конкретных условиях.
А.В.Шустров. Разработка и изготовление полупроводниковых
газовых датчиков с малой мощностью потребления по технологии кремниевых
интегральных схем.
Представлены результаты в области разработки планарных
полупроводниковых газовых датчиков, изготовленных по технологии кремниевых
интегральных схем.
Ю.Б.Цветков, Р.Ш.Тахаутдинов, И.В.Зеленюк.
Экспериментальная оптимизация режимов поверхностного монтажа печатных
плат.
Рассмотрены основные виды брака возникающего при поверхностном
монтаже печатных плат. Разработан способ определения оптимальных параметров
оплавления припойной пасты при групповой пайке. Разработана тестовая
печатная плата для отработки режимов пайки на Chip резисторах. Приведены
параметры пайки для двух типоразмеров пассивных компонентов.
С.В.Михайлин, В.Д.Житковский. Изготовление
постоянных магнитов из магнитопластов.
Представлены последние достижения в области производства
постоянных магнитов из магнитопластов на основе различных магнитных
наполнителей и полимерных связок.
А.А.Ащеулов, В.Г.Охрем, Е.А.Охрем, В.Д.Фотий,
А.В.Клепиковский. Термоэлектрические процессы в термоэлементах с
боковым теплообменом.
Рассмотрен нагруженный термоэлемент с боковым теплообменом
в качестве датчика теплового излучения. Оценена возможность его использования
в качестве холодильника.
Ю.Б.Цветков, Р.Ш.Тахаутдинов, В.А.Городов.
Оценка координатной точности обрабатывающего центра для изготовления
печатных плат.
Рассмотрен метод контроля погрешностей совмещения
рабочих слоев печатных плат по их сканированным изображениям. С применением
этого метода проведена оценка координатной точности обрабатывающего
центра Bungard для изготовления печатных плат. Показано применение
математической модели для идентификации погрешностей совмещения.
Г.Е.Адамов, А.Г.Девятков, И.С.Голдобин, Е.П.Гребенников.
Стенд для исследования фотохромных свойств материалов на основе бактериородопсина.
Описан стенд для исследования фотохромных свойств
материалов на основе бактериородопсина, позволяющий регистрировать
временную зависимость фотоиндуцированного оптического пропускания
на заданной длине волны в видимом оптическом диапазоне, включая ближний
УФ и ИК. Оптическая схема и аппаратное исполнение стенда дают возможность
комбинирования воздействий от разных источников излучения (последовательно
или совместно). Процесс регистрации фотоиндуцированного изменения
оптического пропускания происходит в автоматическом режиме.
Ю.Б.Цветков, Р.Ш.Тахаутдинов, А.Б.Пахнин.
Оперативный контроль качества металлизации отверстий печатных плат.
Рассмотрен метод оперативного контроля качества металлизации
печатных плат с помощью тестовых купонов. Приведена топология и структура
купона, выполненного в виде набора металлизируемых отверстий, расположенных
в шахматном порядке и последовательно соединяющих проводники на обеих
сторонах платы. Приведены параметры купона, использованного для отработки
технологии прямой металлизации меди.
[1]
[2]
|
|