| VIII
конференция |
[Раздел I] [Раздел
II] [Раздел III] [Раздел
IV]
Раздел II. Пленки алмаза и родственных
материалов
М.И.Самойлович, А.Л.Талис. Аппарат
алгебраической геометрии (8-мерная решетка Е8, расслоеные пространства,
алгебраические особенности волновых фронтов) и алмазоподобный квазикристалл
с бесконечной точечной группой.
Адекватное описание структур (реально-существующих
и гипотетических) тонких алмазоподобных пленок достигается посредством
использования определенных разделов алгебраической геометрии. Полученные
модели сопоставляются с экспериментальными данными и подтверждены
компьютерными расчетами. Результаты данной работы являются теоретической
базой для построения аналитического аппарата, способного адекватно
отображать строение квазикристаллических алмазоподобных пленок.
В.Б.Квасков. Расчет плотности состояний и
концентрации А-дефектов в алмазных материалах по спектру оптического
поглощения в UVB-диапазоне.
Предложен метод расчёта плотности состояний и концентрации
А-дефектов в алмазных материалах, оперирующий единственным параметром
- крутизной спектра поглощения в В-диапазоне. Метод предназначен для
экспресс-аттестации фотосенсоров.
А.Ф.Белянин, А.А.Бляблин, И.В.Галушко, П.В.Пащенко,
А.А.Пилевский, А.П.Семенов, И.А.Семенова, А.Б.Спицын, Н.В.Суетин.
Эмиссионные свойства слоистых структур Si/алмаз и Si/алмаз/AlN.
Рассмотрены конструктивные особенности установок для
получения углеродных пленок с различной концентрацией кристаллической
фазы. Использовались методы осаждения из водород-углеводородной газовой
смеси, активированной тлеющим разрядом или нагретой нитью, а также
распыления графитовой мишени ионным пучком. Показано влияние фазового
состава и строения алмазных пленок на вольт-амперные характеристики
слоистых структур Si/алмаз и Si/алмаз/AlN, перспективных для создания
устройств отображения информации.
M.I.Samoilovich, A.F.Belyanin, E.P.Grebennikov,
A.V.Gurianov. Bacteriorhodopsin - the basis of the molecular superfast-acting
nanoelectronics.
Unique combination of photo and electrosensitive properties
of BR molecule with the effects available only in photon crystals
based on opal matrices makes possible the application of BR in nanoelectronic
devices and optical information processing and also for elaboration
of the definite bond types between single molecules and molecule ensembles.
Р.Г.Валеев, В.Ф.Кобзиев, П.Н.Крылов. Структура
и свойства нанокристаллического Ge.
Представлены результаты исследования пленок германия,
полученных методом термического испарения в вакууме при разных углах
наклона подложки относительно молекулярного пучка. Различными методами
исследованы структура, температурная зависимость проводимости и фотопроводимость
полученных пленок.
А.И.Драчев, В.М.Елинсон, С.С.Цибенко. Электрофизические
свойства углерод-полимерных наноструктур.
Рассматриваются результаты воздействия на электрофизические
свойства ПЭТФ тонкой углеродной пленки, нанесенной на поверхность
полимера посредством ионно-плазменного напыления.
В.И.Стафеев. К вопросу о размерах зародышей
углерода и некоторых других веществ.
Развиты представления о фазонах. Проведен расчет размеров
зародышей углерода. Показано, что фазон атома углерода С соответствует
зародышу алмаза, фазон молекулы С2 - молекула фуллерена Ф60. Рассчитаны
размеры зародышей ряда других веществ и показано, что они близки к
экспериментапльно наблюдаемым.
|
|
