Международная научно-техническая конференция

"ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ РОССИИ"

75 лет
Стафееву Виталию Ивановичу

Стафеев В.И. родился 1 января 1929 года в селе Красносельское Акмолинской области Казахской ССР, в 1952 году закончил физико-математический факультет Казахского государственного университета и был распределён в Физико-технический институт АН СССР (г. Ленинград). В 1961 году защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук на тему "Новые принципы действия полупроводниковых приборов", в 1964 году получил звание профессора, в том же году был приглашён в Научный центр микроэлектроники (г. Зеленоград) на должность директора НИИ физических проблем. В 1969 году перешёл в НИИ прикладной физики (ныне Государственный научный центр Российской Федерации ФГУП "НПО "Орион"), где и работает в настоящее время главным конструктором направления.

В.И.Стафеев - выдающийся российский учёный, Заслуженный деятель науки и техники Российской Федерации, Лауреат двух Государственных премий СССР и Государственной премии Российской Федерации.

Виталий Иванович внёс большой вклад в развитие физики полупроводников, полупроводниковой электроники, микроэлектроники и фотоэлектроники

В.И.Стафеев - глава большой научной школы. Среди его учеников более 20 докторов наук и несколько десятков кандидатов наук. Виталий Иванович - автор более 10 монографий и нескольких сотен научных статей и более 40 изобретений.

Среди наиболее важных научных работ:

- теоретические и экспериментальные исследования "длинных" диодов, приведшие к открытию механизмов внутреннего усиления сигналов и к созданию новых приборов: магнитодиодов, инжекционных фотоприёмников и S-диодов, получивших мировое признание;

- исследования свойств "горячих носителей" в полупроводниках, приведшие к созданию лазеров дальнего инфракрасного диапазона спектра;

- разработка и исследование фотоприёмников ультрафиолетового диапазона спектра на основе соединений А3В5 и инжекционных фотодиодов;

- разработка и исследование полупроводниковых аналогов нейронов, схемо- и системотехники на их основе;

- исследование молекулярных плёнок (плёнок Лэнгмюра) и возможности создания на их основе микроэлектронных приборов;

- исследования в области фазовых переходов, зародышей конденсированных фаз, в том числе биологических;

- предсказание и открытие нового физического явления - инжекционного переноса тепла в структурах с р-n-переходами и его использование для создания нового класса полупроводниковых охлаждающих устройств;

- организация разработок и исследований узкозонных полупроводников в СССР: проведение НИР и ОКР, организация Всесоюзных симпозиумов, семинаров и школ, создание филиала НИИ ПФ в г. Баку;

Государственными премиями отмечены работы В.И. Стафеева:

- обнаружение и исследование нового класса материалов - бесщелевых полупроводников (1982г.).

- разработка научных основ, технологии и организация серийного производства магниточувствительных сенсоров (1988 г.);

- разработка технологии и организация производства нового для микрофотоэлектроники полупроводникового материала CdHgTe и на его основе фотоприёмников, в том числе матричных, на область спектра 1-3, 3-5 и 8-12 мкм для современных систем тепловидения (2000 г.);

В.И. Стафеев награждён медалью "За Трудовую доблесть" за работы, выполнявшиеся при создании первой атомной подводной лодки (1958-1959 годы ) и положившие начало силовой полупроводниковой технике в СССР.

"За выдающиеся достижения в области прикладной физической оптики" В.И. Стафеев награждён медалью А.А. Лебедева.

Виталий Иванович внёс большой вклад в создание Научного центра микроэлектроники (г.Зеленоград) - был организатором и первым директором НИИ физических проблем, председателем Межведомственного координационного Совета по микроэлектронике, организатором издания научно-технического сборника "Микроэлектроника", организатором и главным редактором 22 серии ВОТ "Микроэлектроника", организатором и заведующим базовой кафедрой микроэлектроники в МФТИ, председателем секции "Микроэлектроника" Совета по физике полупроводников при Президиуме АН СССР.

В.И. Стафеев входил в состав экспертного совета Комитета по Ленинским и Государственным Премиям СССР, экспертного совета ВАК, редакционных коллегий журналов "Физика и техника полупроводников", "Радиотехника и электроника".